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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4227PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD01N60-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订628个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订628个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6366E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4227PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4229PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4229PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2009

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4229PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4480pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@11A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4321PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4321PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4321PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4440pF@50V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENXC7G 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007ENXC7G 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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