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    功率: 46W
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40HLDX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40HLDX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40HLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9V13-40HX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9V13-40HX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9V13-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-40VLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-40VLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-40VLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9V13-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9V13-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9V13-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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