品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
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功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4564DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.2W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@20V
连续漏极电流:10A€9.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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