采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24.1nC@10V
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.4nC@10V
输入电容：1.287nF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.3A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.4nC@10V
输入电容：1.287nF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.3A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
