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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订300个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订300个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订68个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订68个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

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    库存:

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    起购:54
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

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    起购:18
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

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    漏源电压:20V

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    起购:18
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

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    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

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    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订77个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订77个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

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    输入电容:888pF@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订900个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订900个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

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    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订600个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订600个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

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    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订77个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订77个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    输入电容:888pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订600个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订600个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    输入电容:888pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    输入电容:888pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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