采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2314-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：37mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：617700，"14+"：6000，"15+"：47000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2314-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：37mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：617700，"14+"：6000，"15+"：47000}
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规格型号(MPN)：EMH2314-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：37mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
输入电容：462pF@6V
漏源电压：12V
连续漏极电流：1.6A
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
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输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13201W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
