采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
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功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
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连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
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功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.4nC@10V
输入电容：1.287nF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.3A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.4nC@10V
输入电容：1.287nF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.3A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
阈值电压：1.5V@250μA
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
功率：1.2W
输入电容：667pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：6.6A
漏源电压：30V
栅极电荷：12.5nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
功率：1.2W
输入电容：643pF@15V
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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