采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
