采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R099C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R099C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
