生产批次：{"08+"：8000，"12+"：16000，"13+"：40000，"18+"：8000}

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：408mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：408mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：8000，"12+"：16000，"13+"：40000，"18+"：8000}

功率：408mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1