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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFS2P753Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：12.4A
类型：N-Channel
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
