采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2435N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：365mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@750mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2435N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：365mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@750mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2435N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：365mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@750mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2435N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：365mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@750mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2435N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：231mA
类型：MOSFET
导通电阻：15Ω
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
