品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS9926SC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:23mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS9926SC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:23mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS9926SC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:23mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
阈值电压:2.2V@250μA
功率:1.6W
漏源电压:100V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:105mΩ@10V,2.7A
阈值电压:2.2V@250μA
功率:1.6W
漏源电压:100V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: