采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：550mW
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类型：2个P沟道（双）
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：1940pF@6V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：1940pF@6V
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功率：550mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
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导通电阻：56mΩ@4A，10V
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导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
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导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
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