采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：13A€60A
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3000pF@50V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：13A€60A
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3000pF@50V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
功率：2.5W€104W
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
输入电容：2735pF@60V
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
连续漏极电流：11.6A€49A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8807}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
