采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP610DL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.6pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3139PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@780mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
