采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：890mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，890mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：890mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，890mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：480mΩ@4.5V，780mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-13
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
功率：310mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：24.6pF@25V
漏源电压：50V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
阈值电压：2V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
栅极电荷：1.4nC@10V
漏源电压：30V
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道+1个P沟道
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：310mW
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：750mΩ@4.5V，430mA
栅极电荷：622pC@4.5V
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
