采购热线 400-661-9010
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
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功率：115W（Tc）
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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ECCN：EAR99
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工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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阈值电压：4V @ 250µA
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~175°C（TJ）
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漏源电压：650V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
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连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
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栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
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类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：6V @ 10mA
输入电容：1500 pF @ 100 V
漏源电压：650V
连续漏极电流：25A（Tc）
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
功率：115W（Tc）
栅极电荷：51 nC @ 15 V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
漏源电压：60V
栅极电荷：29 nC @ 10 V
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
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