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    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP324H6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:154pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@170mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A€4.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:42.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@10V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7386DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7386DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4029SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4029SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4029SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V€1154pF@20V

    连续漏极电流:9A€6.5A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@400µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:660mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@660mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP299L6327HUSA1 起订658个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP299L6327HUSA1 起订658个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":19798}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2J013NUZTDG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2J013NUZTDG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC2J013NUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP296NH6433XTMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP296NH6433XTMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP296NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@100µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:152.7pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89 H6327 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89 H6327 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP89 H6327

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.4V

    栅极电荷:6.4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:350mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.2Ω

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108µA

    栅极电荷:5.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:108pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP298H6327XUSA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP298H6327XUSA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":942}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108μA

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,350mA

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108µA

    栅极电荷:5.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:108pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135IXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:98pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@370µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@25V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@430mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A€4.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP322PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP322PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@380µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4034SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4034SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4034SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:660mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@660mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2J013NUZTDG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2J013NUZTDG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC2J013NUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:108pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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