品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDY100PZ
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功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDY100PZ
阈值电压:1.5V@250μA
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导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
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规格型号(MPN):FDY100PZ
阈值电压:1.5V@250μA
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导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
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连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDY100PZ
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功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA
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输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
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栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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