品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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栅极电荷:10.2nC@10V
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输入电容:330pF@25V
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输入电容:330pF@25V
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