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    功率: 625mW
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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