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    功率: 625mW
    类型: P沟道
    当前匹配商品:400+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:219pF@30V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FQTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FQTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:219pF@30V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3151PT1G 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3151PT1G 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.2V@100µA

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@12V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:160mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3151PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3151PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@12V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:219pF@30V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P03E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FQTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13FQTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:219pF@30V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3151PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3151PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@12V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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