采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
功率：3W
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
阈值电压：2.8V@36μA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
功率：3W
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：550pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：95mΩ@10V，4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
