品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2407
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@10V,25A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@10V,10A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@10V,10A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2405TRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.43nF@25V
连续漏极电流:56A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,34A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2407
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@10V,25A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:295mΩ@10V,6.6A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2407
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@10V,25A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2407
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@10V,25A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@10V,10A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:2.2nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
功率:110W
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:580pF@100V
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5.5A
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: