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    功率: 110W
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    包装方式: 管件
    当前匹配商品:20+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N55M5
    ST Mosfet场效应管 STP18N55M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N55M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@8A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STW18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@500µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:1000
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12E60W,S1VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12E60W,S1VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW19NM50N

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@500µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK58E06N1,S1X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@500µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STW18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STW18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW18N65M5

    功率:110W

    工作温度:150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1240pF@100V

    漏源电压:650V

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:15A

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N
    ST Mosfet场效应管 STW19NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW19NM50N

    漏源电压:500V

    栅极电荷:34nC@10V

    功率:110W

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@50V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:14A

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

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