品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS0130KA
功率:85W
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
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功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
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功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
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栅极电荷:41nC@10V
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
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功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
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品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS0130KA
功率:85W
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS0130KA
功率:85W
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
输入电容:870pF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:85W
栅极电荷:41nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:60mΩ@12A,10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
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