采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS0130KA
功率：85W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS0130KA
功率：85W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS0130KA
功率：85W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
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品牌：ST
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阈值电压：4V@250μA
输入电容：870pF@25V
类型：1个N沟道
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功率：85W
栅极电荷：41nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：60mΩ@12A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
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