采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：1586，"12+"：1666，"13+"：1644，"9999"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7535-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：872pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7535-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
输入电容：872pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：1586，"12+"：1666，"13+"：1644，"9999"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7535-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：872pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7535-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
输入电容：872pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：1586，"12+"：1666，"13+"：1644，"9999"：2000}
规格型号(MPN)：BUK7535-55A，127
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
输入电容：872pF@25V
漏源电压：55V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：35A
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7535-55A，127
导通电阻：35mΩ@20A，10V
输入电容：872pF@25V
漏源电压：55V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：35A
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
输入电容：870pF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
栅极电荷：41nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：60mΩ@12A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
连续漏极电流：17A
阈值电压：5.7V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
漏源电压：650V
导通电阻：217mΩ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
