品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
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输入电容:255pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
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输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: