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    功率: 242W
    行业应用: 汽车
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    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:4.3V@8mA

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@325V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

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    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K3S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K3S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075033K3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

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    包装方式:卷带(TR)

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6712pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:4.3V@8mA

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@325V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订10个装
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    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6712pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6712pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6712pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K4S 起订50个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K4S 起订50个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075033K4S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K4S 起订100个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K4S 起订100个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075033K4S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:4.3V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@325V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6712pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    UnitedSiC Mosfet场效应管 UJ3C065030B3 起订10个装
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UJ3C065030B3 起订10个装

    品牌:UnitedSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ3C065030B3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:51nC@15V

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@50A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:4.3V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@325V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:4.3V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@325V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075033K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075033K4S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S1R5-40HJ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6712pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG045N065SC1 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:4.3V@8mA

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@325V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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