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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN1NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：STN1HNK60
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连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：STN1NK60ZL
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规格型号(MPN)：STN1NK60Z
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN1NK60ZL
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输入电容：156pF@25V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.3W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
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生产批次：1524
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导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：STN1NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
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栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
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库存：
