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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
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栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：220pF@25V
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类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6504KND3TL1
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：R6504KNJTL
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
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导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
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功率：58W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
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规格型号(MPN)：R6504KND3TL1
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阈值电压：5V@130μA
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输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
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连续漏极电流：4A
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连续漏极电流：4A
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功率：58W
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
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导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
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功率：58W
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：R6504KNJTL
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：R6504KNJTL
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阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
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导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：R6504KND3TL1
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6504KND3TL1
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504KNJTL
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504KND3TL1
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
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导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504KNJTL
功率：58W
阈值电压：5V@130μA
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输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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