采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
功率：69W
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：622pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
功率：69W
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
输入电容：240pF@25V
阈值电压：5.5V@1mA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
功率：69W
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
输入电容：240pF@25V
阈值电压：5.5V@1mA
漏源电压：800V
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
功率：69W
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：622pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：2V
栅极电荷：32nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.27Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
