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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：36.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.65mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM080N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：843pF@15V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.65mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：36.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7149DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
