采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：37，"22+"：5000，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：37，"22+"：5000，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@42µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@60V
连续漏极电流：8.6A€44A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@39A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@42µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@60V
连续漏极电流：8.6A€44A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@39A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC190N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@42µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@60V
连续漏极电流：8.6A€44A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@39A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1524pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
