包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 300µA
栅极电荷:28 nC @ 10 V
输入电容:1199 pF @ 400 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:185 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 300µA
栅极电荷:28 nC @ 10 V
输入电容:1199 pF @ 400 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:185 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: