采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：18Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：460mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：2675，"22+"：7600}
销售单位：个
漏源导通电阻：18Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：460mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：18Ω
类型：N通道
功率：460mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：18Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：460mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：18Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：460mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：540mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
