品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NS20T4
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":30174,"MI+":1000,"11+":2000,"06+":14000,"14+":1208,"15+":1000,"16+":1200}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NS20T4
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":30174,"MI+":1000,"11+":2000,"06+":14000,"14+":1208,"15+":1000,"16+":1200}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":30174,"MI+":1000,"11+":2000,"06+":14000,"14+":1208,"15+":1000,"16+":1200}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7P20
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:5.2A
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:770pF@25V
类型:P沟道
包装方式:管件
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NS20T4
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: