品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
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包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
连续漏极电流:17A
功率:45W
工作温度:150℃
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2050pF@300V
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
阈值电压:4V@850µA
包装清单:商品主体 * 1
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