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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
功率：45W
工作温度：150℃
漏源电压：620V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU3LN62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.25A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
