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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E050ATTCL
功率：760mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@15V
导通电阻：26mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
功率：760mW
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：17nC@10V
工作温度：-50℃~+150℃
漏源电压：80V
类型：1个P沟道
输入电容：500pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
