采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G15N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：763pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：37pF@30V
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
连续漏极电流：24A€18A
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
连续漏极电流：24A€18A
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
ECCN：EAR99
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
