采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G15N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：763pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：37pF@30V
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3
功率：40W
阈值电压：3.9V@470μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，5.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3
功率：40W
阈值电压：3.9V@470μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，5.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504KNXC7G
功率：40W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：2.5nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：78pF@25V
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：2.5nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：78pF@25V
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.342nF@15V
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：40W
栅极电荷：25.4nC@10V
连续漏极电流：62A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65FD
功率：40W
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：167mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@8V
输入电容：3.476nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
