采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
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包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：STF21N90K5
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功率：40W
阈值电压：5V@100µA
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包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
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规格型号(MPN)：STF9NK90Z
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功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
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包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
漏源电压：900V
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
输入电容：700pF@25V
漏源电压：900V
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
包装方式：管件
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
