采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集电极电流(Ic)：4A
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
工作温度：65℃~150℃
集电集截止电流(Icbo)：10µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
功率：1.75W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJVMJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD6039T4G
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@4V，2A
集电集截止电流(Icbo)：10μA
功率：1.75W
集电极电流(Ic)：4A
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA
工作温度：-65℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
