销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.75W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：11.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：498pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@7A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.75W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：11.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：498pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@7A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.75W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：11.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：498pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@7A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD128T4G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：5mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：10000，"9999"：173}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMN34LN，135

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.75W

阈值电压：2V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：500pF@20V

连续漏极电流：5.7A

类型：N沟道

导通电阻：34mΩ@2.5A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：10000，"12+"：1649}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMN23UN，135

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.75W

阈值电压：700mV@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：10.6nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：740pF@10V

连续漏极电流：6.3A

类型：N沟道

导通电阻：28mΩ@2A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112-1G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD128T4G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：5mA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117-1G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD128T4G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：5mA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1