采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH067N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KEC11
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT2142L
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KEC11
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KEC11
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DEC11
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DEC11
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
