采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP36N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP36N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP120NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB120NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：233nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
