品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
输入电容:838pF@1000V
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:64nC@20V
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
输入电容:838pF@1000V
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:64nC@20V
阈值电压:2.8V@1mA
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
功率:200W
输入电容:1350pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
输入电容:838pF@1000V
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:64nC@20V
阈值电压:2.8V@1mA
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@1.5mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: