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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3205RA
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3205RA
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3205RA
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
输入电容：10pF@10V
漏源电压：75V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
栅极电荷：140nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
生产批次：{"31+"：3363}
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
栅极电荷：147nC@10V
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
功率：200W
输入电容：10pF@10V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
输入电容：10pF@10V
漏源电压：75V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
栅极电荷：140nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"31+"：3363}
包装规格(MPQ)：78psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1001DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2220
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS045N08SHBD
功率：200W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：155A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7mΩ@6V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2220
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2220
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2220
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
栅极电荷：130nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：3.21nF@25V
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：84A
导通电阻：12mΩ@10V，50A
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
栅极电荷：130nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：3.21nF@25V
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：84A
导通电阻：12mΩ@10V，50A
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
